Während DRAM und NAND wegen der anhaltenden Speicherkrise und der globalen Komponentenknappheit immer teurer werden, treibt Samsung die Entwicklung der nächsten Speichergeneration für Mobilgeräte trotzdem voran. Am 23. Juni 2026 hat das Unternehmen mit UFS 5.0 einen neuen Standard für eingebetteten Flash Speicher vorgestellt, der laut Hersteller die aktuell schnellste UFS Lösung der Branche darstellt. Im Mittelpunkt steht dabei vor allem die Beschleunigung von KI Funktionen, die direkt auf dem Gerät laufen, statt in der Cloud verarbeitet zu werden.
Laut Samsung erreicht UFS 5.0 eine sequenzielle Lesegeschwindigkeit von bis zu 10,8GB/s sowie eine Schreibgeschwindigkeit von bis zu 9,5GB/s. Damit soll sich die Leistung gegenüber UFS 4.1 mehr als verdoppeln. Möglich wird das laut Hersteller durch den Wechsel auf die Schnittstellen UniPro 3.0 und M-PHY 6.0 mit High Speed Gear 6, während UFS 4.1 noch auf Gear 5 setzte. Zusätzlich kommt PAM4 Signaling zum Einsatz, das mehr Daten pro Übertragungszyklus durch die Leitung schickt und so den Protokoll Overhead reduziert.
Zur Einordnung: Mit UFS 4.1 konnten wir in unseren eigenen Benchmarks meist Werte von etwas über 4GB/s erreichen. Wenn die Versprechen eingehalten werden, liefert UFS 5.0 also in der Tat ein sattes Upgrade. Die versprochenen Werte liegen hier sogar über denen gängiger PCIe 4.0 NVMe SSDs aus dem Desktop und Notebook Bereich. Wie viel davon unter realen Bedingungen in Smartphones tatsächlich ankommt, hängt natürlich auch von Faktoren wie Controller, eingesetztem SoC, Kühlung, Dateisystem und Zugriffsmuster ab.
Neben der reinen Geschwindigkeit legt Samsung auch bei der Energieeffizienz nach. Der Hersteller gibt eine um mehr als 40% verbesserte Effizienz gegenüber UFS 4.1 an, erzielt unter anderem durch Clock Gating und Multi Voltage Technologien. Jangseok Choi, Leiter der Memory Product Planning Abteilung bei Samsung Electronics, ordnet das Speicherprodukt als zunehmend zentralen Bestandteil der KI Erfahrung auf Mobilgeräten ein. Wichtig dabei: Die Effizienzsteigerung bezieht sich auf die pro übertragener Datenmenge benötigte Energie, nicht auf den Verbrauch in der Spitzenlast. Bei voller Auslastung dürfte die absolute Leistungsaufnahme durch die deutlich höheren Datenraten eher steigen, auch wenn die Gesamtbilanz laut Samsung positiv ausfällt.
Auch physisch wird der neue Speicher kompakter. Das Package misst 7,5mm x 13mm x 0,9mm und fällt damit rund 16,7% kleiner aus als die Vorgängergeneration. Der gewonnene Platz im Gehäuse kommt laut Samsung vor allem Anwendungen zugute, bei denen jeder Quadratmillimeter zählt, etwa Smartphones, Wearables und XR Geräte, wo der freigewordene Raum etwa größeren Akkus oder zusätzlicher Kühlung zugutekommen könnte.
Die Serienproduktion von UFS 5.0 soll laut Samsung im vierten Quartal 2026 beginnen, mit Kapazitäten von bis zu 1TB. Konkrete Preise oder Produktvarianten nennt das Unternehmen bislang nicht. Ein erstes Gerät mit UFS 5.0 hat Samsung nicht offiziell bestätigt. Mehrere Publikationen, darunter Smartprix und Hardwareluxx, spekulieren auf das Samsung Galaxy S27 als möglichen ersten Kandidaten, das voraussichtlich im Frühjahr 2027 erscheinen würde. Diese Einschätzung beruht jedoch ausschließlich auf Vermutungen der jeweiligen Redaktionen und nicht auf einer Aussage von Samsung selbst.
Laut Berichten von Hardwareluxx und Heise wollen auch andere Speicherhersteller wie Kioxia und SK Hynix eigene UFS 5.0 Lösungen in Serie bringen, Kioxia soll demnach bereits Testmuster an Gerätehersteller verteilt haben. Eine offizielle Bestätigung durch die genannten Unternehmen selbst liegt in den vorliegenden Quellen jedoch noch nicht vor.
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